多晶硅铸锭炉高邮控制柜的电话受电的动力装置（电动机）及其保护电器支路应垂直与电源电路。5，主电路用垂直线绘制在图的左侧，控制电路用垂直线绘制在图的右侧，控制电路中的耗能元件画在电路的下端。6，图中自左而右或自上而下表示作顺序，并尽可能减少线条和避免线条交叉。7，图中有直接电的交叉导线的连接点（即导线交叉处）要用黑圆点表示。无直接电的交叉导线，交叉处不能画黑圆点。8。4在原理图的上方将图分成若干图区。动力电路的电源电路绘成水平线并标明该区电路的用途与作用，在继电器，接触器线圈下方列有触点表，以说明线圈和触点的从属关系。用直拉法生长单晶的设备和工艺比较简单，容易实现自动控制，生产效率高，易于大直径单晶，容易控制单晶中杂质浓度，可以低电阻率单晶。据统计，上硅单晶的产量中70％～80％是用直拉法生产的。目前晶体生长设备的现状\江南电力光伏科技有限江南电力光伏科技有限。直拉法引进消化吸收国外技术研发环保清洁可再生新能源产品——太阳能光伏发电站和风力发电站的相关设备。也叫切克劳斯基（J.Czochralski）方法。此法早在1917年由切克劳斯基建立的一种晶体生长方法其中硅单晶生长炉设备有两大系列三个品种。

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整个炉内的一氧化硅与氩气的混合气体(包括坩埚支持器下方的混合气体)能通畅地排出炉外，整个炉内不存在排气不畅的地方，即不存在排气死角。有效地减小了炉内空间，便于迅速及时地将炉内的一氧化硅与氩气的混合气体排出，且利于减少热能和氩气的消耗量，使原有的引晶功率从65KW减到61KW，另外。还利于提高电阻率的均布性。(2)本发明的直拉式单晶生长炉中，碗形的气流导向装置设于坩埚支持器下方和部的排气口之间。氩气流量为30L/min。该氩气流量不但不影响该炉中单晶的生长，平均每个直拉式单晶生长炉每天可少消耗1440L氩气，有效降低了生产成本。石墨具有强度高，抗热震性好，耐高温，抗氧化，电阻系数小，耐腐蚀，易于精密机等优点。上覆坩埚盖2的坩埚3，坩埚为钨坩埚，坩埚下面的支柱为钨支柱，为了保温坩埚盖2上覆保温屏9；